管道感應加熱晶體的表面缺陷一般是指具有二維尺寸的晶體缺陷，主要包括晶體外表面、晶體顆粒邊界、雙晶界等。

管道感應加熱晶體外表面晶體外表面的原子與晶體內(nèi)部原子所在的環(huán)境不同，內(nèi)部原子周圍被鄰近的原子對稱包圍，但表面原子只有一側(cè)被內(nèi)部原子包圍，另一側(cè)暴露在其他介質(zhì)中。因此，表面原子受周圍原子的作用力不均勻?qū)ΨQ，表面原子偏離自己的平衡位置，處于能量高的畸形狀態(tài)。表面原子比內(nèi)部原子多的能量稱為表面能量。

 

管道感應加熱材料表面是明顯的面部缺陷。垂直于表面的方向，平移對稱性被破壞。由于通過表面與環(huán)境等材料相互作用，因此表面的存在對材料的物理化學性能有重要影響。常見的氧化、腐蝕、磨損等自然現(xiàn)象均與表面狀態(tài)有關(guān)。在材料表面，通過離子束、激光、離子體采購等新技術(shù)手段，可以改變材料表面和附近表面的構(gòu)成、結(jié)構(gòu)和性能，具有更好的功能。

管道感應加熱晶粒界限大多數(shù)晶體不是單晶體，而是多晶體，即材料由大量單晶體顆粒組成。在多晶體中，晶粒與晶粒之間存在的界面稱為晶界。晶界一般只有幾個原子的厚度。晶界區(qū)域的原子由于受到兩個不同晶粒上原子的共同作用而處于不平衡位置，因此具有較高的能量(晶界能量)。晶界可分為小角晶界和大角晶界。兩相鄰晶粒的方向差小于150時，稱為小角度晶界的方向差大于150時，稱為大角度晶界。

一般來說，方向差越大，管道感應加熱晶界的厚度越大，接口能力也越高。試驗證明，小角度晶界由一系列錯位排列而成。

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